聚焦光通信关键材料体系，本文拆解核心材料磷化铟（InP）的产业现状与演进节点。
一、1.3/1.55μm波段需求与光通信底层迭代
AIGC拉动光通信技术迭代。在光纤通信网络中，1.3μm和1.55μm波段为主要的低损耗传输窗口。磷化铟具备直接带隙特性，可实现该波段光信号的发射与探测，直接应用于分布式反馈激光器（DFB）、电吸收调制激光器（EML）以及雪崩光电探测器（APD）的核心部件制造。
二、传统可插拔与硅光技术并行的底层消耗
当前光模块产业处于传统可插拔与硅光技术双轨并行的状态。在传统可插拔路径中，承担电光转换功能的EML器件为中短期交付主力；在硅光技术路线中，CW-DFB激光器是当前主流方案。高速光模块的速率代际切换，带动了底层磷化铟衬底的消耗。
三、2026年供需缺口超70%与扩产瓶颈
产业下游对磷化铟晶片的需求呈现增量，但单晶生长环节受限于工艺复杂性与良率，单晶炉设备长定制周期构成产能释放核心阻力。据Omdia数据统计，2026年全球磷化铟衬底需求为260至300万片，当前有效供给量约75万片，供需缺口达70%以上。随着芯片面积更大的高端光芯片渗透率提升，单片衬底消耗量呈扩大趋势。
行业观察
目前全球具备稳定量产磷化铟衬底能力的厂商主要集中于海外的日本住友与美国AXT。
国内产业化进程中，云南锗业已基本通过国内主流客户认证，计划在18个月内将产能扩展至45万片（折合4英寸），现阶段产能处于释放期且晶片良品率同步爬坡。
风险提示：技术迭代不及预期，相关企业产能释放受阻。
作者声明： 本文转载自第三方，旨在提供资讯参考，并非证券推荐或投资建议。作者对内容的真实性、准确性不承担保证责任。本文不构成任何投资建议或证券推荐。截至发文日，作者与文中提及的标的不存在持仓关系。