海力士、三星、美光之间的竞争愈加白热化。6月5日，黄仁勋表示，三大存储芯片制造商已通过认证，并且都已投产，可为英伟达最新的AI平台Vera Rubin供应最先进的高带宽存储芯片。这意味着，SK海力士、三星电子和美光科技即将开始大规模生产和供应HBM4芯片。HBM4走上台前的同时，三家厂商正你追我赶研发下一代产品HBM5，一个全新的技术方向浮现——HBM内部热管理。据韩国时报最新报道，从三大厂的日程表来看，HBM散热技术将首先大规模应用到HBM5上，不过各自在路线上存在细微差异。
随着AI硬件的迭代，英伟达、AMD新一代AI服务器GPU单芯片功耗逼近1000W，HBM不断往更高堆叠，HBM4堆叠了12-16层，HBM5将迈向20层堆叠、超高带宽迭代。堆叠层数越高，HBM中积聚的热量就越多，过热会触发芯片降频、算力缩水、整机稳定性下降。据亚洲商业日报等韩媒报道，英伟达和AMD等客户已要求HBM供应商加强散热管理和低功耗设计。
可以预见，当散热成为HBM产品“出厂配置”的一部分，HBM产品价格将随着价值量的提高而提高，相应地，高导热铜材、特种硅散热材料、先进封装混合键合、WLP晶圆级封装等上游材料和封装端的订单有望持续放量。对于下游IDC厂商而言，HBM芯片级集成散热普及后，AI服务器从整机外置液冷慢慢向芯片原生散热+冷板辅助过渡，将进一步降低数据中心整体液冷成本。有业内人士表示：“随着存储器制造商采用更先进的散热解决方案，整个开发流程更紧密的整合将变得越来越重要。代工厂和存储器制造商之间的合作效率很可能成为关键的竞争因素。”（财联社）
特种硅散热材料=联瑞新材M8/M9/M10级Low-α球形硅微粉和Low-α球形氧化铝。
M8/M9/M10级Low-α球形硅微粉:填充HBM环氧塑封料(GMC)、底部填充胶，提升封装致密性、减少封装空洞带来的局部积热，同时低介电、低α射线避免HBM多层堆叠软错误，是HBM4/HBM5封装标配硅基散热填料。
Low-α球形氧化铝（高导热填料）：强化散热、适配HBM5超高堆叠散热刚需，同属联瑞HBM热管理材料矩阵。
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