一、订单能见度与8英寸放量：产能爬坡进入收获期
露笑科技碳化硅衬底在手订单能见度已延伸至2026年底，下游需求覆盖新能源汽车、光伏储能及AI数据中心等战略赛道。公司合肥露笑一期规划衬底总产能24万片/年，目前已建成达产6万片/年，并初步计划于2026年下半年启动进一步扩产，逐步将产能提升至12万片/年。
8英寸衬底放量节奏明确： 公司自研PVT法长晶工艺已实现8英寸碳化硅衬底稳定量产，6/8英寸导电型衬底良率高于行业平均水平。随着2026年下半年扩产启动，8英寸产品预计逐季放量，至2027年有望成为公司主流出货产品，完成从6英寸向8英寸的产品结构升级。
二、良率提升与成本优化：毛利率改善路径清晰
当前碳化硅衬底行业的核心矛盾在于"大尺寸化"与"良率爬坡"的平衡。露笑科技通过自研PVT法长晶工艺，已实现晶体生长环节90%原材料国产化、晶片加工环节100%国产化，在成本端具备显著优势。
良率提升是毛利率改善的关键变量： 随着8英寸衬底良率逐步提升至85%-90%区间，单位加工成本将显著降低。参考行业规律，8英寸衬底相比6英寸可增加芯片产量约90%，在良率达标后具备明显的规模效应。公司目前单炉产出效率高且国产化率领先，一旦良率突破临界点，毛利率改善空间将快速释放。
三、12英寸前瞻布局：CoWoS中介层打开AI算力第二曲线
露笑科技在12英寸碳化硅衬底领域已实现研发突破，目前处于小批量阶段，正推进工艺优化与客户验证工作。 这一布局的战略意义在于切入AI算力核心供应链——碳化硅在CoWoS中介层的应用已成为产业共识。
碳化硅中介层的核心优势：
1. 散热性能跃升： 单晶碳化硅热导率达490 W/m·K，比硅高出2-3倍，用于CoWoS中介层可使热阻降低近70%，有效解决英伟达B300等1400W级GPU的散热瓶颈。
2. 信号传输效率优化： 碳化硅具有优异的耐化学性，可通过湿法刻蚀制备出更高深宽比的通孔（实验室已达109:1，远超硅中介层的17:1），实现更密集的互连且互连长度更短，从而提升信号传输效率并降低延迟。
3. 封装尺寸缩减： 更高的深宽比意味着在同等面积下可实现更多I/O接口，使2.5D封装效果逼近3D封装，进一步满足AI芯片高带宽、低延迟的互联需求。
据产业链消息，英伟达已要求2027年量产的下下代GPU（内部代号Rubin Ultra）导入12英寸碳化硅中介层，台积电已启动"碳化硅中介层"专项并整合三方材料厂推进研发。露笑科技提前卡位12英寸技术，有望在2027年产业化窗口期获得先发优势。
总结： 露笑科技碳化硅业务呈现"短期看8英寸放量、中期看良率提升降本、长期看12英寸CoWoS中介层"的三层逻辑。从新能源汽车到AI算力，公司正从单一材料供应商向高端半导体材料平台跃迁，建议密切跟踪8英寸良率爬坡进度及12英寸客户验证进展
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