天風國際証券分析師郭明錤近日發文表示，台積電下一代先進封裝技術CoPoS預計將於2028年下半年進入量產。該技術旨在提升9.5倍掩膜尺寸級別以上超大型封裝的經濟性，英偉達的Feynman AI芯片有望成為首批採用者之一。郭明錤預計，CoPoS將延長並強化台積電在先進封裝領域的領導地位，這一優勢可能持續至2032年左右。
台積電的推進節奏已在今年6月初的股東會上得到確認。台積電董事長魏哲家彼時透露，公司已建成CoPoS試產線，預計2至3年內可實現規模化量產。CoPoS採用方形面板設計，以玻璃基板取代部分傳統材料，旨在支持更大尺寸AI與HPC芯片的封裝需求。更關鍵的是，台積電近期首次公開披露，正攜手ABF載板大廠IBIDEN與面板廠群創光電，共同驗證玻璃基板導入下一代CoWoS先進封裝的可行性。來自客戶的技術規格與產能要求，以及英特爾、三星等競爭對手的壓力迅速增強，迫使一向謹慎不激進的台積電加快了技術導入節奏。
台積電此次測試樣品測試樣品採用0.8mm玻璃核心基板，封裝規格為5倍光罩CoW，整體尺寸達85×110mm。驗證數據顯示，與有機基板相比，玻璃基板可使封裝翹曲改善16%、有效熱膨脹系數降低19%、彈性模量提升31%，供電電阻和電感分別降低27%和42%。
第一梯队：玻璃基板本体 + TGV 铜填充/金属化 + RDL 介电材料。
玻璃基板方案下，RDL 介电层不只是“绝缘层”，还要同时承担 高速信号、应力缓冲、铜/玻璃附着、低翘曲、可靠性 等多重功能。
台积电对 CoWoS-R 的描述里，RDL interposer 本身就是 polymer + copper traces，并且 RDL、C4、underfill 层会缓冲 SoC 与基板之间的 CTE 热膨胀失配。也就是说，聚合物介电层不是辅助材料，而是 RDL 结构核心材料之一。
玻璃有优点，也有弱点。玻璃比有机基板更平、更稳定，但也更脆；当它和铜 RDL、TGV 金属化、芯片、underfill 一起经历高温制程和热循环时，材料之间的 CTE 差异会产生应力。RDL 聚合物介电材料综述中明确提到，为防止玻璃基板开裂，需要 更薄、低应力、低 CTE 的聚合物介电材料 来降低玻璃上的应力。
普通 PI 不行，真正有价值的是高端 PSPI、PBO、低温固化 PID、低 Dk/Df 聚合物介电材料。
利好高端PI材料，高端PI材料国产率低，长期依赖美日进口
然后高端PI材料的核心单体BPDA
A股只有彩客科技量产电子级BPDA ！
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